●Intel欲將193nm沉浸式光刻技術(shù)延用

   在LithoVision2010大會(huì)上，Intel公司公布了其未來(lái)幾年的光刻技術(shù)發(fā)展計(jì)劃，按這份驚人的計(jì)劃顯示，Intel計(jì)劃將193nm波長(zhǎng)沉浸式光刻技術(shù)延用至11nm制程節(jié)點(diǎn)，這表明他們?cè)俅魏笱恿似錁O紫外光刻(EUV)技術(shù)的啟用日期。

   根據(jù)會(huì)上Intel展示的光刻技術(shù)發(fā)展路線圖顯示，目前Intel45nm制程工藝中使用的仍是193nm干式光刻技術(shù)，而32nm制程工藝則使用的是193nm沉浸式光刻技術(shù)，沉浸式光刻工具方面，Intel從去年開(kāi)始便獨(dú)家使用尼康公司的193nm沉浸式光刻機(jī)制造32nm制程產(chǎn)品。此前曾有傳言稱臺(tái)積電最近也購(gòu)買了尼康公司的193nm沉浸式光刻設(shè)備，不過(guò)雙方后來(lái)矢口否認(rèn)了這一傳言。

   過(guò)去Intel曾計(jì)劃在22nm制程節(jié)點(diǎn)轉(zhuǎn)向EUV技術(shù)，并計(jì)劃明年開(kāi)始采用這種技術(shù)。不過(guò)據(jù)Intel負(fù)責(zé)高級(jí)光刻技術(shù)的高管YanBorodovsky表示，Intel目前還沒(méi)有做好在22/15nm制程節(jié)點(diǎn)引入EUV技術(shù)的準(zhǔn)備。他并表示Intel將在22nm制程節(jié)點(diǎn)繼續(xù)使用193nm沉浸式光刻技術(shù)。

EUV技術(shù)在Intel的實(shí)戰(zhàn)中取得成果

   Intel還在會(huì)上表示他們有能力將193nm沉浸式光刻技術(shù)延用至15nm制程節(jié)點(diǎn)，也就是說(shuō)這項(xiàng)技術(shù)的壽命可望延續(xù)到2013年左右，Borodovsky并認(rèn)為，按照目前的情況看來(lái)，193nm沉浸式光刻+pitchdivision的工藝組合才是實(shí)現(xiàn)15nm制程產(chǎn)品量產(chǎn)的“唯一選擇”。

   不過(guò)他表示,在15nm節(jié)點(diǎn)制程處，Intel將“首先采用EUV技術(shù)進(jìn)行試產(chǎn)，假如屆時(shí)無(wú)掩模技術(shù)已經(jīng)成熟，那么我們還會(huì)采用這種技術(shù)進(jìn)行試產(chǎn)?！?/p>

   在接下來(lái)的11nm制程節(jié)點(diǎn)中，Intel仍有計(jì)劃想在五重掩模技術(shù)（fivemask）的配合下繼續(xù)延用193nm沉浸式光刻技術(shù)，Borodovsky稱：“193nm沉浸式光刻技術(shù)應(yīng)可在五重掩模技術(shù)的配合下滿足11nm制程的要求。”

   據(jù)Intel表示，11nm制程節(jié)點(diǎn)上該公司的光刻技術(shù)將采用多種光刻工藝互補(bǔ)混搭的策略，將193nm沉浸式光刻技術(shù)與EUV,無(wú)掩模光刻（maskless）等技術(shù)混合在一起來(lái)滿足11nm制程的需求。

   目前還不清楚Intel最終會(huì)采用EUV或無(wú)掩模光刻技術(shù)中的哪一種，Intel表示留給EUV技術(shù)最終成熟的時(shí)間點(diǎn)是在2011/2012年前；而留給無(wú)掩模技術(shù)的時(shí)間點(diǎn)則是在2012年以前。而其EUV領(lǐng)域的主要競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手三星公司將EUV技術(shù)投入實(shí)用的時(shí)間點(diǎn)也同樣定在了2012年前。