●EUV技術原理淺析

   為了繼續縮小線寬，擴大芯片容量，人們一直在開發新的集成電路生產技術。如：X射線接近式光刻、電子束投影光刻、離子柬投影光刻和軟X射線投影光刻等。為了強調軟X射線投影光刻與現有光刻的連續性，現在普遍稱其為“極紫外投影光刻”。極紫外投影光刻EUV的幾個關鍵技術已經突破，最有希望成為下一代集成電路的生產技術。它采用13nm的工作波長，理論上適用于線寬22nm以下的集成電路生產。

   EUV是目前距實用話最近的一種深亞微米的光刻技術。他仍然采用前面提到的分步投影光刻系統，只是改變光源的波長，即采用波長更短的遠紫外線。目前已經采用248nm、193nm的準分子激光光刻出0.18um的細線條，在采用近程校正、移相掩膜等新技術后可達到0.15um。波長為157nm的準分子激光光刻技術也將近期投入應用。如果采用波長為13nm的EUV，則可得到0.1um的細條。采用的EUV進行光刻的主要難點是很難找到合適的制作掩膜版的材料和光學系統。

Intel巨資開發的Intel’s Micro Exposure Tool（MET）

   關于EUV理論上的探討和初步的實驗在80年代中期就有學者做過相關工作。但一直到90年代末期，芯片工藝的飛速發展以及微縮過程中所遇到的種種難題才使得工業界產生了緊迫感。而且集成電路發展的過程也清楚地顯示，如果不對當前的芯片工藝做大刀闊斧的改進，盡快地推出EUV工藝，摩爾定律甚至整個芯片工業都將面臨前所未有的危機。

IMEC開發的EUV alpha demonstration tool

   1997年由Intel、AMD、Micron、Motorola、SVGL、USAL、ASML組成極紫外有限公司（EUVLLC）和在加州的三個國家實驗室成立。

   EUV系統主要由四部分構成：
    極端紫外光源
    反射投影系統
   光刻模板（mask）
   能夠用于極端紫外的光刻涂層（photo-resist）

EUV光刻技術原理

   無論是哪個部分，傳統的光刻工藝都無用武之地，需要重新設計。

   極端紫外光源非常難設計，現有的激光器在極端紫外光譜輸出功率低，無法達到光刻所需的能量要求。而讓問題變得更復雜的是，極端紫外光會被絕大多數的材料吸收，包括空氣，傳統的光刻透射投影設備等。