●IBM對于EUV的態度和布局
IBM公司近日宣布了其光刻技術戰略，表示將把其193nm沉浸式光刻縮小到22納米節點，以實現大量生產。換個角度看來，由于超紫外線（EUV）光刻技術還不能用于22nm節點邏輯的早期開發工作，該技術將在22nm工藝中再次被拋棄。
這對于EUV技術的擁護者來說無疑是個不好的征兆，他們本希望能在2009年將EUV這種下一代光刻技術應用于32節點中。另外，這一事件還對EUV是否已經就位，或者說它的可用性提出了更多疑問，它本來就已經由于人力資源、光刻膠等重要因素的缺乏而舉步維艱了。
而且，一套EUV工具的價格可能高達4000萬到6000萬美元。業界希望EUV工具能夠幫助其盡快進入量產，但這一技術還未完全成熟。IBM公司著名工程師、光刻技術開發總監GeorgeGomba表示：IBM也一直在開發EUV、沉浸式、直寫等下一代光刻技術（NGL）。在它位于紐約州EastFishkill的領先的300納米工廠里，IBM公司已經采用了來自ASML Holding NV公司的193nm光學掃描儀。
業界普遍認為IBM將繼續和這家荷蘭公司合作。IBM沒有就其合作廠商發表評論。Gomba表示，IBM目前正采用“干式”193納米沉浸式光刻工具生產65節點邏輯芯片。接下來，IBM將把193nm光刻擴展到45nm節點（65nm半間距）。在該節點上，IBM將采用一個193nm的沉浸式掃描儀和據稱由ASML公司提供的1.2的數字孔徑。
在45nm節點之后，IBM還將把193nm沉浸式光刻擴展到32納米節點（45納米半間距）。在這一節點上，IBM將試用單圖形和雙圖形工藝，并采用一個帶有1.35NA透鏡的掃描器。令人意外的是，IBM還表示將在2011年將沉浸式光刻縮放至22nm節點。IBM認為193nm沉浸式光刻是能夠滿足22節點的2年周期和要求的唯一方案。
有專家表示，目前的193nm沉浸式光刻折射率為1.4，還只能以40納米工藝生產。為了突破這一障礙，IBM將運用一個采用了雙圖形技術的先進的193nm沉浸式掃描器，以及分辨率增強技術和OPC。Gomba指出：“我們在試用各種不同的雙圖形工藝。”
至于EUV技術，IBM認為這項技術還不能用于22nm的早期開發工作。IBM希望EUV能接近22納米節點，但這一技術要到2009年才能最終成熟。迄今為止，ASML公司已經銷售了兩款相當早期的“試用型”EUV工具，一個提供給了IMEC公司，另一個給了AlbanyNanotech公司。這家荷蘭公司將給三星提供一款“預生產”型EUV設備，并可能給英特爾也提供一套。尼康和佳能也在開發EUV。