●EUV技術對掩膜版的要求

   EUV與現有光刻技術的主要區別，在于極紫外投影光刻系統使用了反射式掩模。反射式掩模采用堅固的背支撐結構，可以有效地防止由裝校應力以及熱應力產生的變形；透射式掩模則因為其對工作光束的強烈吸收與熱應力變形之間的矛盾不能協調解決而無法在13nm 光刻技術中得到應用。

   多層膜技術的巨大進步使得反射式掩模成為可能，但掩模中引入了多層膜之后，相應地帶來了諸如多層膜均勻性、多層膜缺陷等技術難題。由于入射光在掩模表面反射，EUV系統對掩模基底的面形和缺陷都有了更嚴格的要求。

EUV系統對掩模基底的要求（文獻掃描圖片）

   通過EUV技術的艱難前行我們可以體會到光刻技術的發展并非光刻機一枝獨秀即可，其它環節的互相配合與優化，如光刻膠和掩膜版等，才能使EUV盡早投入量產。盡管EUV使用的曝光波長比ArF光刻縮小了10倍以上，但是EUV波段的光極易被各種光學材料吸收也是不爭的事實，全新的掩膜版技術開發如箭在弦上。

   由于采用透射曝光時掩膜版會吸收EUV光線，其光強將被大幅削弱。因此，相對于目前的投影式光學系統而言，EUV掩膜版將采用反射技術，而非透射技術。要使EUV順利進入量產，無缺陷的掩膜是必不可少的。如何解決掩膜版表面多層抗反射膜的無缺陷問題成為關鍵。EUV掩膜版的制作一般是采用多層堆疊的Mo/Si薄膜，每一Mo層與Si層都必須足夠平滑，誤差容許范圍為一個原子大小。如果掩膜上存在大顆粒時，通常需要采用掩膜修正技術進行處理。另外，掩膜版還涉及到儲存、運輸等難題。

EUV系統對掩模缺陷率的要求

   研究表明，EUV掩膜缺陷密度應為18nm節點0.003defects/cm2，最新的數據認為，最終量產時的目標達到0.01defects/cm2即可。但如今的EUV掩膜缺陷仍高達1defect/cm2，任務非常艱巨。要使檢測機臺的水平滿足芯片制造的要求，EUV光源的亮度而非能量，仍需大幅改善。這是因為EUV光刻機的NA非常小，測量機臺只能覆蓋光源較小的一部分，高能量光源對于測量機臺來說太大太昂貴。在這一點上，LPP光源更小更亮，較DPP更有優勢。

   極紫外投影光刻反射式掩模技術的難點在于掩模白板的制備，包括缺陷數控制以及無缺陷多層膜制備。根據掩模圖形成型方法的不同，其制備方法主要分為：離子束直接刻蝕法、離子注入法、Liftoff法、吸收層干刻法。吸收層干刻法不僅在工藝上切實可行，而且有利于缺陷的檢測和修補，是最為理想的掩模制作方法。