摩擦力顯微鏡下的懸臂梁對單晶硅表面正方形進行微加工的研究。結果發現，用氫氧化鉀溶液蝕刻工件后，加工區域變為凸凸。了解了凸面的高度取決于加工條件，特別是氫氧化鉀溶液的濃度的關系。為了了解相反的刻蝕處理結果，采用透射電鏡（發射電子顯微鏡）和激光拉曼法對加工表面的結構進行了分析，得到了表面的厚氧化和下劣化。此外，還驗證了超聲波清洗結合刻蝕提高粗糙度和去除殘留物的效率。并應用實驗結果，提出了無掩模形成微結構的方法。

實驗

在加工部位發現了很強的面罩作用， 發現了凸狀結構殘留形成的情況。這個掩膜作用是加工條件， 特別是顯示了對KOH水溶液濃度的強烈依存，用濃度約20wt%以下的KOH水溶液蝕刻FFM加工區域后，加工區域會有選擇地呈凸狀（掩蔽效果）。 明確了在20wt%以上的情況下反而變成凹狀（蝕刻促進效果）。

通過用濃度不同的KOH水溶液蝕刻FFM加工后的試料，產生掩蔽效果或蝕刻促進效果。這表明，在FFM加工區域的表層存在結晶性紊亂，與大氣中的氧結合，化學性質發生變化的層。因此，為了闡明這兩種相反的化學效果的機理，FFM； 對加工表面層進行了結構分析。

圖2(a)，(b)，(c)是圖1中(a)所示的FFM加工后的試料截面TEM像。加工方向為紙面垂直方向（<110>方向），在加工部觀察到周期性的進給標記。該圖(d)，(e)，(f)是圖1中(b)所示的凸狀結構試料的截面TEM像。在FFM加工領域的周圍進行蝕刻，可以看出產生了臺階。蝕刻處理后FFM加工部的微結構幾乎沒有變化。這說明FFM加工部的表面微結構顯示出對KOH水溶液具有很強的耐腐蝕性（掩蔽效果）。

圖3(a)，(b)是分別對單晶硅面（拋光面）及其FFM加工領域進行溝道分析的結果。縱軸表示后方散射離子的計數數（強度），數值越大，后方散射離子越多，結晶性越低（混亂）。如同圖(a)的曲線圖所示，與面的主晶軸平行。

圖4(a)、(b)分別是拋光面及FFM加工部的。如前文所述，用濃度為5～15wt%（溫度23℃）的KOH水溶液對FFM加工后的樣品進行蝕刻處理后，加工區域顯示出很強的掩模作用，殘留形成了凸狀結構。此外，在此條件下，蝕刻的晶體各向異性幾乎不被認可）。因此，為了確認該現象是否在其他種類的堿性水溶液中出現，我們用不同的堿性水溶液進行了蝕刻實驗。

圖8是各種堿性水溶液中的蝕刻時間和凸狀構造的高度的關系。隨著蝕刻時間的增加，凸狀構造的高度增大，其比例根據堿性種類不同而不同。KOH水溶液的情況下，從蝕刻開始之后，加工部殘留形成了凸狀構造。其高度與時間大致成比例，在實驗條件的范圍內最大約為550nm.與此相對，CsOH，RbOH即使經過60分鐘，加工部及其周圍也幾乎沒有變化，之后殘留形成了凸狀構造。

結果和討論

用低濃度的KOH水溶液蝕刻用FFM結構進行了極微細加工的單晶硅，在加工部產生掩蔽效果，加工部殘留形成凸狀。另一方面，用高濃度的KOH水溶液蝕刻的話，在加工部產生蝕刻促進作用，加工成凹狀。為了闡明這個機理，進行了用各種堿水溶液的蝕刻實驗和FFM加工表面層的結構分析。另外，為了形成實用的微細結構，嘗試了用超聲波附加的蝕刻處理。

1）在各種堿（KOH，CsOH，RbOH）水溶液中對FFM加工的單晶硅（100）面進行蝕刻的結果，雖然在蝕刻速率和表面粗糙度上產生了差異，但是FFM加工領域顯示出很強的掩膜作用，殘留為凸狀。

2）通過透射型電子顯微鏡等對FFM加工表面層進行結構分析的結果，確認了加工表面層為2層結構，在最表面形成了厚約10nm的結晶性低的氧化層，其下有厚約50nm的轉移生成層。

3）FFM加工領域的掩蔽效果，依存于K（對灘水溶液具有耐腐蝕性的最表面結晶性低的氧化層，起因于與拋光面的蝕刻速率的差而產生。另一方面，蝕刻促進作用起因于內部的KOH弱層，即轉移生成層而產生。

4）通過超聲波附加的蝕刻處理，蝕刻處理后的表面粗糙度和蝕刻不均勻性得到改善，可以形成非常平坦的高精細的3維微細結構。

總結

從以上的實驗結果可以看出，KOH水溶液在蝕刻速率和蝕刻面的表面光潔度方面比其他的堿性水溶液優越。在加工區域中發現了掩蔽作用，并且驗證了該掩蔽作用對任何堿性水溶液都持續很長時間，并且在FFM加工部分中生成了具有足夠耐腐蝕性的層。今后，在對加工機理進行